Технология OnNow PC — способ управления энергопотреблением системы.

Сущность OnNow PC заключается в резком уменьшении потребления электрической энергии, но так, чтобы система в любой момент времени была готова к работе без перезагрузки операционной системы (например, как готов телевизор, включаемый с помощью удаленного пульта). Система при включении остается способной реагировать на внешние события: нажатие кнопки пользователем, сигнал из сети. Происходит это за счет того, что небольшая, особая часть системы остается постоянно включенной.

Технология OnNow PC требует выполнения следующих условий:

операционная система берет на себя управление энергопотреблением;
все устройства, входящие в систему, должны допускать возможность эффективного регулирования потребления ими электрической энергии
должен быть предусмотрен ряд определяемых операционной системой последовательных энергетических состояний, переходящих из одного в другое.
Интеллектуальное управление электропитанием (Intel Intelligent Power Capability) — уменьшение потребления энергии путем включения именно тех логических блоков, которые требуются в данный момент.

Enhanced Intel Speed STep (EIST) идентичен механизму, осуществленному в процессорах Intel мобильных ПК, который позволяет процессору уменьшать его тактовую частоту, когда не требуется высокая загрузка, таким образом значительно сокращая нагрев центрального процессора и потребление мощности.

Разработка последующих поколений компьютеров производится на основе больших интегральных схем повышенной степени интеграции, использования оптоэлектронных принципов (лазеры, голография).

ТЕХНОЛОГИИ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ
Основой электронных технологий в настоящее время являются полупроводники (semiconductor) — вещества, электропроводность которых увеличивается с ростом температуры и является промежуточной между проводимостью металлов и изоляторов.

Наиболее часто используемыми в электронике полупроводниками являются кремний и германий. На их основе путем внедрения примесей в определенных точках кристаллов создаются разнообразные полупроводниковые элементы, к которым, в первую очередь, относятся:

проводники, коммутирующие активные элементы;
вентили, выполняющие логические операции;
транзисторы (полупроводниковые триоды), предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрического тока;
резисторы, обеспечивающие режимы работы активных элементов;
приборы с зарядовой связью (ПЗС), предназначенные для кратковременного хранения электрического заряда и используемые в светочувствительных матрицах видеокамер;
диоды и другое.
В настоящее время используется несколько технологий построения логических элементов:

транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ, TTL);
логика на основе комплементарных МОП-транзисторов (КМОП, CMOS);
логика на основе сочетания комплементарных МОП- и биполярных транзисторов (BiCMOS).
Кроме того, различают:

отрицательную логику, или схемы низких потенциалов;
смешанную.
При положительной логике напряжение высокого уровня соответствует логической «1», а при отрицательной логике — «нулю».

Логические элементы, функционирующие в схемах высоких потенциалов, дуальны элементам, работающим в схемах низких потенциалов. Например, в схеме высоких потенциалов элемент реализует функцию «ИЛИ — НЕ», а в схеме низких потенциалов — «И-НЕ».

Может быть рассмотрен рисунок, на котором достаточно упрощенно представлены транзисторные сборки «И» (последовательно включенные транзисторы) и «ИЛИ» (параллельное включение). Входные и выходные сигналы «1» представляются высоким уровнем напряжения на коллекторе транзистора (практически равным напряжению питания). Сигналу «0», наоборот, соответствует низкий Уровень выходного напряжения.

Пример реализации сборок «И» (а) и «ИЛИ» (б)
Поскольку, например, в большинстве современных персональных компьютеров напряжение питания составляет 3.3 В (в более ранних версиях, до Pentium — 5 В), то выходная «1» задается напряжением 3.3 В.

Динамика изменений размеров схемных элементов
Ключевыми выражениями при описании микросхемных элементов являются такие, как «технология 130 нм, «технологический процесс 0.5 мкм» и так далее Это означает, что размеры транзисторов или других элементов не превышают соответственно 130 нанометров (1 нм=10-9 м) либо же 0.5 микрон (1 мкм=10-6 м).

В процессоре Intel 4004 (1971 года) использовалась технология 10 мкм; в процессоре Pentium 2 (1998 года) — технология 0.25 мкм; в процессорах Intel Pentium IV Prescott и AMD Athlon 64 Toledo (2004 года) — нанотехнологии — 0.09 мкм (90 нм).

Нанотехнологии наглядно — транзистор (90 нм) и вирус гриппа (100 нм)
На повестке дня — технологии 10-50 нанометров. Для сравнения следует указать, что средний размер частиц пыли составляет 100 мкм (что накладывает очевидные условия чистоты производства).

Комментарии запрещены.

Улица Плеханова 12А,
Днепропетровск, Днепропетровская область
Украина

Аксессуары